Electronic structure of mixed valent systems
The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-c...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2004
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118954 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electronic structure of mixed valent systems / V.N. Antonov, A.P. Shpak, A.N. Yaresko // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 211-246. — Бібліогр.: 125 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-118954 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1189542017-06-02T03:02:53Z Electronic structure of mixed valent systems Antonov, V.N. Shpak, A.P. Yaresko, A.N. The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-called LSDA+U approach. While the standard LSDA approach is incapable of correctly describing the electronic structure of such materials due to the strong on-site Coulomb repulsion, the LSDA+U approach is remarkably accurate in providing a detailed agreement with experiment for a number of properties. Електронна структура монохалкогенідів Tm і Sm, SmB₆ і Yb₄As₃ теоретично досліджується із перших принципів, використовуючи повністю релятивістський діраківський ЛМТО метод зонних структур. Електронна структура отримана, використовуючи наближення локальної спінової густини (LSDA), наряду з так званим LSDA+U підходом. В рамках звичайног о LSDA не вдається коректно описати електронну структуру таких матеріалів завдяки сильному Кулонівському відштовхуванню на вузлі, тоді як LSDA+U підхід чудово точний принаданні детальної згоди з експериментом для ряду властивостей. 2004 Article Electronic structure of mixed valent systems / V.N. Antonov, A.P. Shpak, A.N. Yaresko // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 211-246. — Бібліогр.: 125 назв. — англ. 1607-324X PACS: 71.28.+d, 71.25.Pi, 75.30.Mb DOI:10.5488/CMP.7.2.211 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118954 en Condensed Matter Physics Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
The electronic structure of Tm and Sm monochalcogenides, SmB₆ and Yb₄As₃ is theoretically investigated from the first principles, using the fully relativistic Dirac LMTO band structure method. The electronic structure is obtained using the local spin-density approximation (LSDA), as well as the so-called LSDA+U approach. While the standard LSDA approach is incapable of correctly describing the electronic structure of such materials due to the strong on-site Coulomb repulsion, the LSDA+U approach is remarkably accurate in providing a detailed agreement with experiment for a number of properties. |
| format |
Article |
| author |
Antonov, V.N. Shpak, A.P. Yaresko, A.N. |
| spellingShingle |
Antonov, V.N. Shpak, A.P. Yaresko, A.N. Electronic structure of mixed valent systems Condensed Matter Physics |
| author_facet |
Antonov, V.N. Shpak, A.P. Yaresko, A.N. |
| author_sort |
Antonov, V.N. |
| title |
Electronic structure of mixed valent systems |
| title_short |
Electronic structure of mixed valent systems |
| title_full |
Electronic structure of mixed valent systems |
| title_fullStr |
Electronic structure of mixed valent systems |
| title_full_unstemmed |
Electronic structure of mixed valent systems |
| title_sort |
electronic structure of mixed valent systems |
| publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| publishDate |
2004 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118954 |
| citation_txt |
Electronic structure of mixed valent systems / V.N. Antonov, A.P. Shpak, A.N. Yaresko // Condensed Matter Physics. — 2004. — Т. 7, № 2(38). — С. 211-246. — Бібліогр.: 125 назв. — англ. |
| series |
Condensed Matter Physics |
| work_keys_str_mv |
AT antonovvn electronicstructureofmixedvalentsystems AT shpakap electronicstructureofmixedvalentsystems AT yareskoan electronicstructureofmixedvalentsystems |
| first_indexed |
2023-10-18T20:33:24Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:33:24Z |
| _version_ |
1796150508184928256 |