Thermoelectric studies of electronic properties of ferromagnetic GaMnAs layers
Thermoelectric power, electrical conductivity, and high field Hall effect were studied over a broad temperature range in ferromagnetic Ga₁₋xMnxAs epitaxial layers (0.015 ≤ x ≤ 0.06). Thermoelectric power analysis gives information about carrier transport mechanisms in layers with both metallic an...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119060 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Thermoelectric studies of electronic properties of ferromagnetic GaMnAs layers / V. Osinniy, K. Dybko, A. Jedrzejczak, M. Arciszewska, W. Dobrowolski, T. Story, M.V. Radchenko, V.I. Sichkovskiy, G.V. Lashkarev, S.M. Olsthoorn, J. Sadowski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 3. — С. 257-265. — Бібліогр.: 45 назв. — англ. |