Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
Single crystals of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:V: Mn (x = 0.9–0.95) with different concentrations of vanadium, titanium and manganese have been obtained via the modified Bridgman method and their optical, photoelectrical and galvano-magnetic properties have been studied. According to the performed i...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119135 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties / S.Yu. Paranchych, Yu.V. Tanasyuk, V.R. Romanyuk, O.S. Romanyuk, V.M. Makogonenko, M.D. Andriychuk, S.V. Synylo, Yu.I. Ivonyak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 3. — С. 227-230. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |