Some peculiarities of the mechanism of irreversible photostructural transformations in thin As-S-Se layers
The present paper is concerned with the peculiarities of the mechanism of irreversible photostructural transformations in As-S-Se layers. The starting point of the irreversible photostructural transformations is the state which is determined by the conditions of the fabrication of the As-S-Se layers...
Збережено в:
Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
---|---|
Дата: | 2001 |
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119254 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Some peculiarities of the mechanism of irreversible photostructural transformations in thin As-S-Se layers / A.V. Stronski // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 2. — С. 111-117. — Бібліогр.: 37 назв. — англ. |