Bolometric characteristics of macroporous silicon structures
Bolometric characteristics of macroporous silicon were investigated. Ohmic structures of the type «In/n-Si» and «In/macroporous n-Si» were formed by thermal evaporation of indium in an atmosphere of hydrogen. Temperature dependencies of electron conductivity, concentration and mobility in macroporou...
Збережено в:
| Дата: | 2001 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119270 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Bolometric characteristics of macroporous silicon structures / L.A. Karachevtseva, O.A. Lytvynenko, E.A. Malovichko, V.D. Sobolev, O.J. Stronska // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 3. — С. 177-181. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |