Study of postimplantation annealing of SiC

• Дата: 2001
• Автори: Avramenko, S.F., Kiselev, V.S., Romanyuk, B.N., Valakh, M.Ya.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
• Назва видання: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119335
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Study of postimplantation annealing of SiC / S.F. Avramenko, V.S. Kiselev, B.N. Romanyuk, M.Ya. Valakh // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2001. — Т. 4, № 4. — С. 249-252. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

The implanted layer resistance R/□ thermoelectromotive force, optical transmittance T and open-circuit photovoltage measurements were made on epitaxial n-type 6H-SiC samples and Lely-grown 6H-SiC crystals implanted at 30o and 500 oC with Al ions annealed at 1600 to 2000 oC. The objective was to stud...