Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках
Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe1–xTex, имеющих кластерную структуру. Рассчитана зависимость энергии локализации...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119466 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Локальные экситонные состояния на изоэлектронных центрах в сверхрешетках / Н.В. Бондарь // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 2. — С. 233-243. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Проанализированы оптические спектры напряженных сверхрешеток второго типа
ZnSe/ZnTe, как свежевыращенных, так и хранившихся в течение некоторого времени, с учетом
образования на их гетерограницах смешанных слоев ZnSe1–xTex, имеющих кластерную
структуру. Рассчитана зависимость энергии локализации дырок от радиуса кластеров атомов
Te, которая хорошо согласуется с экспериментальными данными. В образцах, хранившихся в
течение некоторого времени, обнаружено изменение формы и монотонное смещение полосы фотолюминесценции
в коротковолновую сторону. Показано, что причина смещения связана с изменением
внутренней структуры смешанных слоев со временем и образованием локальных состояний,
наведенных изоэлектронными примесями (атомами Te). |
|---|