Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке
В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности размерно-квантованной металлической пленки. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев энергетических ур...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2014
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119499 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке / З.З. Алисултанов, Н.А. Мирзегасанова // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 5. — С. 590-594. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-119499 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1194992017-06-08T03:02:52Z Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке Алисултанов, З.З. Мирзегасанова, Н.А. Наноструктуры при низких температурах В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности размерно-квантованной металлической пленки. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев энергетических уровней, вызванных размерным квантованием, термоэдс эпитаксиального графена возрастает до гигантских значений 200 мкВ·К⁻¹, что почти в семь раз больше термоэдс изолированного графена (около 30 мкВ·К⁻¹). У рамках моделі Давидова розглянуто термоелектричний ефект в епітаксійному графені, який сформован на поверхні розмірно-квантованої металічної плівки. Використовано підхід, побудований на формулі Кубо для провідності та диференціальної термоерс. Показано, що поблизу енергетичних рівнів, викликаних розмірним квантуванням, термоерс епітаксійного графена зростає до велетенських значень 200 мкВ⋅К⁻¹, що майже у сім разів більше ніж термоерс ізольованого графена (близько 30 мкВ⋅К⁻¹). The thermoelectric effect in epitaxial graphene formed on the surface of a size-quantized a metallic film is considered in the context of the Davydov model. The approach based on the Kubо formula for conductivity and thermoelectric coefficient is used. It is shown that near the energy levels of size quantization, the thermopower of epitaxial графене increases to a giant value of 200 μV·K⁻¹, which is almost seven times higher than the thermoelectric power of isolated graphene (about 30 μV·K⁻¹). 2014 Article Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке / З.З. Алисултанов, Н.А. Мирзегасанова // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 5. — С. 590-594. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. 0132-6414 PACS 68.43.–h, 72.80.Vp, 65.80.Ck http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119499 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Наноструктуры при низких температурах Наноструктуры при низких температурах |
| spellingShingle |
Наноструктуры при низких температурах Наноструктуры при низких температурах Алисултанов, З.З. Мирзегасанова, Н.А. Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке Физика низких температур |
| description |
В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности размерно-квантованной металлической пленки. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев энергетических уровней, вызванных размерным квантованием, термоэдс эпитаксиального графена возрастает до гигантских значений 200 мкВ·К⁻¹, что почти в семь раз больше термоэдс изолированного графена (около 30 мкВ·К⁻¹). |
| format |
Article |
| author |
Алисултанов, З.З. Мирзегасанова, Н.А. |
| author_facet |
Алисултанов, З.З. Мирзегасанова, Н.А. |
| author_sort |
Алисултанов, З.З. |
| title |
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке |
| title_short |
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке |
| title_full |
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке |
| title_fullStr |
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке |
| title_full_unstemmed |
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке |
| title_sort |
аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2014 |
| topic_facet |
Наноструктуры при низких температурах |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119499 |
| citation_txt |
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене на размерно-квантованной пленке / З.З. Алисултанов, Н.А. Мирзегасанова // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 5. — С. 590-594. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT alisultanovzz anomalʹnyjrosttermoédsvépitaksialʹnomgrafenenarazmernokvantovannojplenke AT mirzegasanovana anomalʹnyjrosttermoédsvépitaksialʹnomgrafenenarazmernokvantovannojplenke |
| first_indexed |
2023-10-18T20:34:41Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:34:41Z |
| _version_ |
1796150566890504192 |