Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К
В интервале температур 5–300 К определены структура и удельное электросопротивление поликристаллического MgB₂. В этом же интервале температур исследован его импеданс для частот 9–110 МГц. Показано, что во всем температурном интервале тип решетки и симметрия сверхпроводящей фазы MgB₂ остаются неиз...
Збережено в:
Дата: | 2004 |
---|---|
Автори: | , , , , , , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119506 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Структурные и высокочастотные резистивные характеристики MgB₂ в диапазоне частот 0–110 МГц и интервале температур 5–300 К / В.М. Дмитриев, Н.Н. Пренцлау, В.Н. Баумер, Н.Н. Гальцов, Л.А. Ищенко, А.И. Прохватилов, М.А. Стржемечный, А.В. Терехов, А.И. Быков, В.И. Ляшенко, Ю.Б. Падерно, В.Н. Падерно // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 385-394. — Бібліогр.: 35 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | В интервале температур 5–300 К определены структура и удельное электросопротивление
поликристаллического MgB₂. В этом же интервале температур исследован его импеданс для
частот 9–110 МГц. Показано, что во всем температурном интервале тип решетки и симметрия
сверхпроводящей фазы MgB₂ остаются неизменными. В области температуры сверхпроводящего
перехода Tc = 39,5 К наблюдается структурная неустойчивость, которая сопровождается
разбросом измеряемых параметров решетки. Сделан вывод о существенно анизотропном характере
деформации кристаллов при изменении температуры. При измерениях температурной и
частотной зависимостей поверхностного сопротивления Rs(T,f) в сверхпроводящем состоянии
обнаружен переход от пиппардовского нелокального предела при Т << Тc к лондоновскому локальному
пределу вблизи Тc. При Т/Тc < 0,76 величина Rs (Т) хорошо описывается экспоненциальной
зависимостью exp (–∆(Т)/kТ) в соответствии с теорией БКШ. |
---|