Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆

• Дата: 2004
• Автори: Пащенко, В.П., Kakazei, G., Шемяков, А.А., Пащенко, А.В., Цымбал, Л.Т., Дьяконов, В.П., Szymczak, H., Santos, J.A.M., Sousa, J.B.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119510
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Дефектность структуры, фазовые переходы и свойства магниторезистивной керамики и пленки La₀,₆₆Mn₁,₂₃V(c) ₀,₁₁O²⁻₂,₈₄V(a)₀,₁₆ / В.П. Пащенко, G. Kakazei, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, Л.Т. Цымбал, В.П. Дьяконов, H. Szymczak, J.A.M. Santos, J.B. Sousa // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 403-410. — Бібліогр.: 40 назв. — рос.

В результате рентгеноструктурных, резистивных, ЯМР и магниторезистивных исследований керамических и тонкопленочных лазерных перовскитов La₀,₇Mn₁,₃O₃ с «избыточным» марганцем установлено, что их реальная структура содержит разновалентные ионы марганца, катионные, анионные вакансии и кластеры, магнетизм и резистивность последних проявлялись вблизи 42 К. Широкие асимметричные спектры ЯМР ⁵⁵Mn и ¹³⁹La керамики свидетельствуют о высокочастотном электронно-дырочном обмене между разновалентными ионами марганца, о высокой дефектности и мезоскопической неоднородности нестехиометрических манганит-лантановых перовскитов. Различия температур фазовых переходов металл—полупроводник и энергии активации керамики и пленок объяснены различной кислородной нестехиометрией, дефектностью структуры и, соответственно, концентрацией носителей заряда и экситонов. Низкополевой магниторезистивный эффект керамики объяснен туннелированием на межзеренных границах. Сделано предположение, что уменьшение сопротивления в магнитном поле обусловлено увеличением концентрации носителей заряда за счет ослабления электронно-дырочного взаимодействия в экситонах. Обнаруженная аномалия сопротивления и магниторезистивного эффекта вблизи 42 К объяснена наличием кластеров.