Зарядовое упорядочение и межслойная фазовая когерентность в квантовых холловских сверхрешетках

• Дата: 2004
• Автори: Шевченко, С.И., Филь, Д.В., Яковлева, А.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119513
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Зарядовое упорядочение и межслойная фазовая когерентность в квантовых холловских сверхрешетках / С.И. Шевченко, Д.В. Филь, А.А. Яковлева // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 431-440. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.

Изучена возможность существования состояний со спонтанной межслойной фазовой когерентностью в многослойных электронных системах в сильном перпендикулярном магнитном поле. Показано, что в таких системах фазовая когерентность может устанавливаться только внутри отдельных пар ближайших слоев, а между слоями различных пар такая когерентность отсутствует. Определены условия устойчивости состояния с межслойной фазовой когерентностью относительно перехода в зарядово-упорядоченное состояние. Показано, что в системе с числом слоев N ≤10 устойчивость имеет место при любых расстояниях между слоями d. При N >10 имеется два интервала устойчивости: при достаточно больших и при достаточно малых d. При N →∞интервал устойчивости в области малых d исчезает.