Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя
Исследованы проявления резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в низкотемпературной проводимости полупроводников в условиях, когда донорный резонансный уровень энергии примесей расположен в полосе проводимости. Показано, что на основе применения теории резонансного рассеяния в рамк...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119514 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя / В.И. Окулов, Л.Д. Сабирзянова, К.С. Сазонова, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 441-446. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-119514 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1195142017-06-08T03:03:01Z Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя Окулов, В.И. Сабирзянова, Л.Д. Сазонова, К.С. Паранчич, С.Ю. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Исследованы проявления резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в низкотемпературной проводимости полупроводников в условиях, когда донорный резонансный уровень энергии примесей расположен в полосе проводимости. Показано, что на основе применения теории резонансного рассеяния в рамках подхода Фриделя можно объяснить стабилизацию концентрации электронов, максимум их подвижности и минимум температуры Дингла в зависимости от концентрации донорных примесей, а также связанные с резонансом аномальные температурные зависимости подвижности. Получены новые экспериментальные данные по концентрации, подвижности и температуре Дингла электронов в кристаллах селенида ртути с примесями железа и установлено, что они, как и уже известные результаты, вполне согласуются с закономерностями, предсказываемыми в развитом подходе. Обсуждается соотношение данного подхода с использовавшейся до сих пор интерпретацией концентрационного максимума подвижности и приведены аргументы в пользу его применимости. Досліджено проявлення резонанасного розсіяння електронів на донорних домішках у низькотемпературн ій провідності напівпровідників в умовах, коли донорний резонансний рівень енергії домішок розташован у смузі провідності. Показано, що на основі застосування теорії резонансного розсіяння у рамках підходу Фріделя можливо пояснити стабілізацію концентрац ії електронів, максимум їх рухливості та мінімум температури Дінгла в залежності від концентрації донорних домішок, а також зв’язані з резонансом аномальні температурні залежност і рухливості. Отримано нові експериментальні дані з концентрації, рухливості та температури Дінгла електронів у кристалах селеніду ртуті з домішками заліза та установлено, що вони, як і вже відомі результати, цілком узгоджуються з закономірностями, що прогнозовано у розвинутому підході. Обговорюється співвідношення даного підходу з інтерпретацією концентрац ійного максимуму рухливості, що використовано до цієї пори, та приведено аргументи на користь його застосування. The anomalies of electron mobility in a semiconductor doped with impurities, the donor resonant energy level of which lies in the conduction band are studied. The use of the resonance scattering theory in the framework of Friedel’s approach allowed us to describe the stabilization of conduction electron concentration, the maximum of their mobility and the minimum of the Dingle temperature depending on impurity concentration as well as the anomalous temperature dependences of mobility related to the resonance. It is shown that the experimental data on concentration, mobility and Dingle temperature of electrons in mercury selenide with iron impurities (both already known and those obtained in the present work) are in good agreement with the dependences predicted in the approach developed. The correlation between the given approach and the interpretation of concentration maximum of mobility used before is made, and the arguments in favour of the former are given. 2004 Article Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя / В.И. Окулов, Л.Д. Сабирзянова, К.С. Сазонова, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 441-446. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.10.Fk, 72.20.Dp, 72.80.Ey http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119514 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| spellingShingle |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Окулов, В.И. Сабирзянова, Л.Д. Сазонова, К.С. Паранчич, С.Ю. Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя Физика низких температур |
| description |
Исследованы проявления резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в низкотемпературной
проводимости полупроводников в условиях, когда донорный резонансный
уровень энергии примесей расположен в полосе проводимости. Показано, что на основе применения
теории резонансного рассеяния в рамках подхода Фриделя можно объяснить стабилизацию
концентрации электронов, максимум их подвижности и минимум температуры Дингла в
зависимости от концентрации донорных примесей, а также связанные с резонансом аномальные
температурные зависимости подвижности. Получены новые экспериментальные данные по
концентрации, подвижности и температуре Дингла электронов в кристаллах селенида ртути с
примесями железа и установлено, что они, как и уже известные результаты, вполне согласуются
с закономерностями, предсказываемыми в развитом подходе. Обсуждается соотношение
данного подхода с использовавшейся до сих пор интерпретацией концентрационного максимума
подвижности и приведены аргументы в пользу его применимости. |
| format |
Article |
| author |
Окулов, В.И. Сабирзянова, Л.Д. Сазонова, К.С. Паранчич, С.Ю. |
| author_facet |
Окулов, В.И. Сабирзянова, Л.Д. Сазонова, К.С. Паранчич, С.Ю. |
| author_sort |
Окулов, В.И. |
| title |
Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя |
| title_short |
Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя |
| title_full |
Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя |
| title_fullStr |
Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя |
| title_full_unstemmed |
Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя |
| title_sort |
низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций шубникова–де гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. объяснение на основе подхода фриделя |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2004 |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119514 |
| citation_txt |
Низкотемпературные аномалии подвижности и осцилляций Шубникова–де Гааза при резонансном рассеянии электронов на донорных примесях в полупроводниках. Объяснение на основе подхода Фриделя / В.И. Окулов, Л.Д. Сабирзянова, К.С. Сазонова, С.Ю. Паранчич // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 4. — С. 441-446. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT okulovvi nizkotemperaturnyeanomaliipodvižnostiioscillâcijšubnikovadegaazaprirezonansnomrasseâniiélektronovnadonornyhprimesâhvpoluprovodnikahobʺâsnenienaosnovepodhodafridelâ AT sabirzânovald nizkotemperaturnyeanomaliipodvižnostiioscillâcijšubnikovadegaazaprirezonansnomrasseâniiélektronovnadonornyhprimesâhvpoluprovodnikahobʺâsnenienaosnovepodhodafridelâ AT sazonovaks nizkotemperaturnyeanomaliipodvižnostiioscillâcijšubnikovadegaazaprirezonansnomrasseâniiélektronovnadonornyhprimesâhvpoluprovodnikahobʺâsnenienaosnovepodhodafridelâ AT parančičsû nizkotemperaturnyeanomaliipodvižnostiioscillâcijšubnikovadegaazaprirezonansnomrasseâniiélektronovnadonornyhprimesâhvpoluprovodnikahobʺâsnenienaosnovepodhodafridelâ |
| first_indexed |
2023-10-18T20:34:45Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:34:45Z |
| _version_ |
1796150568494825472 |