Atomic and electronic structure of a-SiC
Molecular dynamics (MD) simulations based on an empirical potential approach have provided detailed information about chemical ordering and the structural short-range order in stoichiometric amorphous silicon carbide (a-SiC). Recursion band structure calculations based on amorphous geometries obtain...
Збережено в:
| Дата: | 2002 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2002
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119570 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Atomic and electronic structure of a-SiC / V.I. Ivashchenko, V.I. Shevchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2002. — Т. 5, № 1. — С. 16-24. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |