Структура, фазовые переходы, ЯМР ⁵⁵Mn и магниторезистивные свойства Pr ₀,₆−xNdxSr₀,₃Mn₁,₁O₃−δ (x = 0−0,6)

• Дата: 2014
• Автори: Пащенко, А.В., Пащенко, В.П., Прокопенко, В.К., Ревенко, Ю.Ф., Мазур, А.С., Сычева, В.Я., Бурховецкий, В.В., Кисель, Н.Г., Сильчева, А.Г., Леденёв, Н.А.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2014
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119584
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Структура, фазовые переходы, ЯМР ⁵⁵Mn и магниторезистивные свойства Pr ₀,₆−xNdxSr₀,₃Mn₁,₁O₃−δ (x = 0−0,6) / А.В. Пащенко, В.П. Пащенко, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, А.С. Мазур, В.Я. Сычева, В.В. Бурховецкий, Н.Г. Кисель, А.Г. Сильчева, Н.А. Леденёв // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 8. — С. 922-931. — Бібліогр.: 31 назв. — рос.

Рентгеноструктурным, резистивным, магнитными (χас и ЯМР ⁵⁵Mn), магниторезистивным и электронномикроскопическим методами исследованы керамические образцы Pr ₀,₆−xNdxSr₀,₃Mn₁,₁O₃−δ (x = 0−0,6). Показано, что с ростом концентрации x тип искажения элементарной ячейки изменяется от орторомбического (x = 0−0,2) к псевдокубическому (x = 0,4−0,6) и повышается дефектность структуры, содержащей анионные и катионные вакансии. Уменьшение температур фазовых переходов «металл–полупроводник» Tms и «ферро–парамагнетик» TС, повышение удельного сопротивления и энергии активации при росте x объяснено повышением концентрации вакансий, ослабляющих высокочастотный электронный двойной обмен Mn³⁺↔Mn⁴⁺. Для составов с повышенным содержанием неодима обнаружен переход в антиферромагнитное состояние при понижении температуры ниже 130 К. Наблюдается два вида магниторезистивного эффекта. Величина первого эффекта, который проявляется вблизи температур фазовых переходов Tms и TС, повышается с ростом концентрации x. Величина второго эффекта, обнаруженного в низкотемпературной области, превосходит значение первого. Построены фазовые диаграммы магнитного состояния, которые характеризуют сильную корреляционную взаимосвязь между составом, дефектностью структуры, фазовыми переходами и функциональными свойствами, в том числе магниторезистивным эффектом.