2025-02-23T11:26:37-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-119644%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T11:26:37-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-119644%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T11:26:37-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-23T11:26:37-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефе...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Seyidov, М.Yu., Suleymanov, R.A., Acar, E., Одринский, А.П., Мамедов, Т.Г., Наджафов, А.И., Алиева, В.Б.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2014
Series:	Физика низких температур
Subjects:	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Online Access:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119644
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	irk-123456789-119644
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1196442017-06-08T03:07:42Z Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока. Mетодом фотоелектричної релаксаційної спектроскопії досліджено нелеговані та леговані лантаном монокристали TlInS₂. Визначено характеристики електрично активних дефектів: переріз захоплення носіїв заряду, енергія термоактивації й інтервал температур змінення зарядового стану дефекту. Вивчено піроелектричні властивості TlInS₂:La. Встановлено дефект, відповідальний за аномалії піроструму. Undoped and La-doped TlInS₂ single crystals have been investigated by the photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) method. The characteristics of electrically active defects such as capture cross-section, thermal activation energy and temperature interval of defect recharging have been determined. The pyroelectrical properties of TlInS₂:La have been investigated as well. The defect responsible for pyrocurrent anomalies has been established 2014 Article Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 0132-6414 PACS 61.44.Fw, 77.80.B–, 77.80.–e http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119644 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
spellingShingle	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана Физика низких температур
description	Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока.
format	Article
author	Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б.
author_facet	Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б.
author_sort	Seyidov, М.Yu.
title	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
title_short	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
title_full	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
title_fullStr	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
title_full_unstemmed	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
title_sort	фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла tlins₂ в присутствии примесей лантана
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2014
topic_facet	Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119644
citation_txt	Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT seyidovmyu fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT suleymanovra fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT acare fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT odrinskijap fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT mamedovtg fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT nadžafovai fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT alievavb fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana
first_indexed	2023-10-18T20:35:04Z
last_indexed	2023-10-18T20:35:04Z
_version_	1796150582311911424

Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Similar Items