Спин-транспортные эффекты в системе электронов над поверхностью жидкого гелия

Рассмотрены транспортные явления в системе электронов над поверхностью жидкого гелия в сильном неквантующем неоднородном магнитном поле. Показано, что при невысоких частотах приложенного к системе электрического поля, при которых за период поля успевает установиться равновесное распределение спинов...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2014
Автори: Калиненко, А.Н., Копелиович, А.И., Пышкин, П.В, Яновский, А.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2014
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119680
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Спин-транспортные эффекты в системе электронов над поверхностью жидкого гелия / А.Н. Калиненко, А.И. Копелиович, П.В. Пышкин, А.В. Яновский // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 11. — С. 1228-1236. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Рассмотрены транспортные явления в системе электронов над поверхностью жидкого гелия в сильном неквантующем неоднородном магнитном поле. Показано, что при невысоких частотах приложенного к системе электрического поля, при которых за период поля успевает установиться равновесное распределение спинов вдоль проводящей поверхности, электросопротивление определяется иными процессами рассеяния носителей тока, чем в однородном случае. Спиновая неоднородность делает эффективными в отношении потери импульса электрон-электронные столкновения, и это приводит к существенным отличиям в гальваномагнитных явлениях от теории Друде–Лоренца. Указано на существование нестационарного спин-электрического эффекта в направлении, перпендикулярном приложенному электрическому полю. Обсуждена эволюция транспортных свойств после включения неоднородного магнитного поля.