Электронно-топологический переход в сплавах Re₁–хMoх и его влияние на температуру сверхпроводящего перехода
Исследованы особенности изменения температуры сверхпроводящего перехода Тс сплавов Re₁–хMoх в интервале концентраций C до 5 ат.% Mо (в пределах твердого раствора) под давлением Р до 10 кбар. Наблюдается нелинейное увеличение Тс до ≈5 К при добавлении примеси C ≈4,7 ат.% Mo с перегибом при C ≈2...
Збережено в:
Дата: | 2004 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119721 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Электронно-топологический переход в сплавах Re₁–хMoх и его влияние на температуру сверхпроводящего перехода / Т.А. Игнатьева, А.Н. Великодный // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 5. — С. 523-534. — Бібліогр.: 24 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Исследованы особенности изменения температуры сверхпроводящего перехода Тс сплавов
Re₁–хMoх в интервале концентраций C до 5 ат.% Mо (в пределах твердого раствора) под давлением
Р до 10 кбар. Наблюдается нелинейное увеличение Тс до ≈5 К при добавлении примеси C ≈4,7 ат.%
Mo с перегибом при C ≈2,35 ат.% Mo. Зависимость (∂Tc/∂P)(C) имеет минимум при той же концентрации
Mo. Это свидетельствует о наличии критической энергии Ec < E⁰F в электронном спектре Re.
Примесь Mo, электроотрицательная относительно Re, понижает энергию Ферми E⁰F Re и при пересечении
Ec — вершины заполненной d-зоны, ниже уровня Ферми происходит электронно-топологический
переход (ЭТП) под действием примеси Mo при концентрации C ≈2,35 ат.%. Минимум и
асимметрия (1/Tc)( ∂Tc/∂P)(C) соответствуют появлению новой дырочной полости поверхности Ферми.
На уровень Ферми выходят d-электроны с высокой плотностью электронных состояний, что дает
существенный вклад в увеличение Тс. При количественном сравнении теории с экспериментом определено
расстояние E⁰F Ec ≈ 0,017 эВ, а также другие параметры ЭТП. |
---|