Замороженное магнитосопротивление при перемагничивании гранулированных Bi(Pb)-ВТСП
Изучены зависимости замороженного магнитосопротивления керамических Bi(Pb)-ВТСП образцов от полей, инициирующих захват магнитного потока, и от перемагничивающих полей Rt(Hi , Hr). Обнаружено, что зависимости Rt(Hr) немонотонны. При этом величина замороженного магнитосопротивления существенно умен...
Збережено в:
Дата: | 2004 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119734 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Замороженное магнитосопротивление при перемагничивании гранулированных Bi(Pb)-ВТСП / А.А. Суханов, В.И. Омельченко // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 6. — С. 604-609. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Изучены зависимости замороженного магнитосопротивления керамических Bi(Pb)-ВТСП
образцов от полей, инициирующих захват магнитного потока, и от перемагничивающих полей
Rt(Hi , Hr). Обнаружено, что зависимости Rt(Hr) немонотонны. При этом величина замороженного
магнитосопротивления существенно уменьшается после приложения первого импульса Hr
(Hr < Hi), однако практически не изменяется при последующем перемагничивании такими же
по величине импульсами любой полярности. Изучено влияние перемагничивания на анизотропию
магнитосопротивления и эффект отрицательного магнитосопротивления. Показано, что
полученные результаты противоречат моделям критического состояния для гранул и сверхпроводящих
контуров, но хорошо описываются количественно предлагаемой моделью гранулированного
Bi(Pb)-ВТСП, согласно которой захват магнитного потока происходит в «нормальных
» гранулах, покрытых сверхпроводящими оболочками, а сопротивление образцов
определяется цепочками слабых связей. |
---|