Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers
Investigated in this work is the reversible photostimulated red absorption edge shift (photodarkening), ∆Eg, of As₂(S,Se)₃ nanoparticles embedded into the SiO matrix. As compared to continuous chalcogenide films, the remarkable ∆Eg increase (up to 4 times) with decreasing of chalcogenide particle si...
Збережено в:
| Дата: | 1999 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119861 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Relaxation of photodarkening in SiO-As₂(S,Se)₃ composite layers / I.Z. Indutnyi, P.E. Shepeliavyi, V.I. Indutnyi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 2. — С. 59-62. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |