Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок

Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой плeнки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксимируется...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автор: Сивоконь, В.Е.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120013
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 65-74. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-120013
record_format dspace
spelling irk-123456789-1200132017-06-11T03:02:55Z Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок Сивоконь, В.Е. Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой плeнки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксимируется химическим потенциалом идеального двумерного бозе-газа, а химический потенциал нормального гелия содержит дополнительную по сравнению со сверхтекучим гелием величину, зависящую от температуры. В рамках подхода предсказано увеличение толщины плeнки при еe переходе в сверхтекучее состояние. Предсказано также, что при некоторых условиях возможно сосуществование нормальной и сверхтекучей пленок с различными толщинами. Запропоновано підхід для розрахунку хімічного потенціалу тонкої гелієвої плівки, яка знаходиться у рівновазі з паром. При розрахунку хімічного потенціалу поверхневий шар атомів гелію, що контактує з паром, розглядається як двовимірна система. Хімічний потенціал надплинного гелію апроксимується хімічним потенціалом ідеального двовимірного бозе-газу, а хімічний потенціал нормального гелію має у порівнянні з надплинним гелієм додаткову величину, що залежить від температури. У рамках підходу передбачено збільшення товщини плівки при її переході у надплинний стан. Передбачено також, що за деяких умов нормальна та надплинна плівки з різними товщинами можуть співіснувати. An approach for calculations of the chemical potential of a helium film in equilibrium with vapor is proposed. For the calculations the surface layer of helium atoms, contacting with vapor is considered as a two-dimensional system. The superfluid helium chemical potential is approximated with the chemical potential of the ideal two-dimensional Bose-gas. The chemical potential of normal helium contains an additional (compared to the superfluid one) quantity, which depends on temperature. Within the framework of the approach it is predicted that the film thickness increases with its transition to a superfluide state. It is also predicted that under certain conditions normal and superfluid films of different thicknesses may coexist. 2006 Article Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 65-74. — Бібліогр.: 50 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 67.90.+z http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120013 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
spellingShingle Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
Сивоконь, В.Е.
Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
Физика низких температур
description Предложен подход для расчета химического потенциала тонкой гелиевой плeнки, находящейся в равновесии с паром. При расчете химического потенциала поверхностный слой атомов гелия, контактирующий с паром, рассматривается как двумерная система. Химический потенциал сверхтекучего гелия аппроксимируется химическим потенциалом идеального двумерного бозе-газа, а химический потенциал нормального гелия содержит дополнительную по сравнению со сверхтекучим гелием величину, зависящую от температуры. В рамках подхода предсказано увеличение толщины плeнки при еe переходе в сверхтекучее состояние. Предсказано также, что при некоторых условиях возможно сосуществование нормальной и сверхтекучей пленок с различными толщинами.
format Article
author Сивоконь, В.Е.
author_facet Сивоконь, В.Е.
author_sort Сивоконь, В.Е.
title Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_short Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_full Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_fullStr Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_full_unstemmed Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
title_sort влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2006
topic_facet Квантовые жидкости и квантовые кpисталлы
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120013
citation_txt Влияние сверхтекучего перехода на адсорбцию тонких гелиевых плeнок / В.Е. Сивоконь // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 65-74. — Бібліогр.: 50 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT sivokonʹve vliâniesverhtekučegoperehodanaadsorbciûtonkihgelievyhplenok
first_indexed 2023-10-18T20:35:54Z
last_indexed 2023-10-18T20:35:54Z
_version_ 1796150621507682304