Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
Изучены осцилляции Шубникова–де Гааза в двумерном дырочном газе в квантовой яме из чистого германия в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe с концентрацией дырок p(H) 5,68·10¹¹ см² и подвижностью μ= 4,68·10⁴ см² ·В⁻¹·с⁻¹ в магнитных полях до 15 Тл при температуре от 40 мК до 4 К. Обнаруженное отклонение...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | Комник, Ю.Ф., Беркутов, И.Б., Андриевский, В.В, Миронов, О.А., Миронов, М., Ледли, Д. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2006
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120040 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe / Ю.Ф. Комник, И.Б. Беркутов, В.В. Андриевский, О.А. Миронов, М. Миронов, Д. Ледли // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 1. — С. 109-114. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2006) -
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000) -
Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008) -
Квантовая интерференция и спин-орбитальные эффекты в гетероструктуре с 2D дырочным газом в квантовой яме Si₀,₂Ge₀,₈
за авторством: Андриевский, В.В., та інші
Опубліковано: (2003) -
Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
за авторством: Двуреченский, А.В., та інші
Опубліковано: (2004)