Исследование псевдощели в пленках YBCO резистивным методом с учетом перехода от БКШ к бозе-эйнштейновской конденсации
Предложен новый подход к анализу избыточной проводимости σ(T), возникающей в пленках YBa₂Cu₃O₇–y (YBCO) с различным содержанием кислорода ниже характеристической температуры T* >> Tc. Подход основан на представлении о том, что σ(T) формируется в результате образования при T T* локальных пар (с...
Збережено в:
Дата: | 2006 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2006
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120134 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Исследование псевдощели в пленках YBCO резистивным методом с учетом перехода от БКШ к бозе-эйнштейновской конденсации / А.Л. Соловьев, В.М. Дмитриев, // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 2. — С. 139-151. — Бібліогр.: 46 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Предложен новый подход к анализу избыточной проводимости σ(T), возникающей в пленках YBa₂Cu₃O₇–y (YBCO) с различным содержанием кислорода ниже характеристической температуры T* >> Tc. Подход основан на представлении о том, что σ(T) формируется в результате образования при T T* локальных пар (сильносвязанных бозонов), подчиняющихся
статистике Бозе—Эйнштейна в интервале температур Tm < T < T*. При Tc
mf < T < Tm пары подчиняются теории БКШ (Tc
mf — критическая температура, отделяющая область фазового перехода от области критических флуктуаций). Таким образом, в системах Y123 при уменьшении
температуры происходит переход от конденсации Бозе—Эйнштейна к конденсации типа БКШ.
С учетом динамики образования сильносвязанных бозонов предложено уравнение, которое хорошо описывает зависимость σ(T) и в явном виде содержит параметр ∆*, который отождествлен с псевдощелью в ВТСП. Получены зависимости ∆*(T) для всех исследованных пленок. |
---|