Исследование псевдощели в пленках YBCO резистивным методом с учетом перехода от БКШ к бозе-эйнштейновской конденсации

Предложен новый подход к анализу избыточной проводимости σ(T), возникающей в пленках YBa₂Cu₃O₇–y (YBCO) с различным содержанием кислорода ниже характеристической температуры T* >> Tc. Подход основан на представлении о том, что σ(T) формируется в результате образования при T T* локальных пар (с...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автори: Соловьев, А.Л., Дмитриев, В.М
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120134
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование псевдощели в пленках YBCO резистивным методом с учетом перехода от БКШ к бозе-эйнштейновской конденсации / А.Л. Соловьев, В.М. Дмитриев, // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 2. — С. 139-151. — Бібліогр.: 46 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Предложен новый подход к анализу избыточной проводимости σ(T), возникающей в пленках YBa₂Cu₃O₇–y (YBCO) с различным содержанием кислорода ниже характеристической температуры T* >> Tc. Подход основан на представлении о том, что σ(T) формируется в результате образования при T T* локальных пар (сильносвязанных бозонов), подчиняющихся статистике Бозе—Эйнштейна в интервале температур Tm < T < T*. При Tc mf < T < Tm пары подчиняются теории БКШ (Tc mf — критическая температура, отделяющая область фазового перехода от области критических флуктуаций). Таким образом, в системах Y123 при уменьшении температуры происходит переход от конденсации Бозе—Эйнштейна к конденсации типа БКШ. С учетом динамики образования сильносвязанных бозонов предложено уравнение, которое хорошо описывает зависимость σ(T) и в явном виде содержит параметр ∆*, который отождествлен с псевдощелью в ВТСП. Получены зависимости ∆*(T) для всех исследованных пленок.