Neutral and charged excitons in a CdTe-based quantum well

• Видавець: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
• Дата: 2004
• Автори: Gaj, J.A., Kossacki, P., Płochocka, P., Maślana, W., Cibert, J., Tatarenko, S., Radzewicz, C.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкоразмерные и сверхпроводящие системы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120162
• Цитувати: Neutral and charged excitons in a CdTe-based quantum well / J.A. Gaj, P. Kossacki, P. Płochocka, W. Maślana, J. Cibert, S. Tatarenko, and C. Radzewicz // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1133–1138. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

We present a summary of our spectroscopic studies of the oscillator strength of transitions related to the formation of neutral and positively charged excitons in modulation p-doped CdTe-based quantum wells. The hole concentration was controlled in the range from 10¹⁰ cm⁻² to 10¹¹ cm⁻². Continuou...