Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
Изложены результаты исследования процессов получения и определения электрических и оптических характеристик массивов наноостровков Ge в Si (искусственных «атомов») с дискретным энергетическим спектром, который проявляется вплоть до комнатной температуры. Проведен краткий анализ современного состо...
Збережено в:
| Видавець: | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2004 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120165 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками / А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1169–1179. — Бібліогр.: 37 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Изложены результаты исследования процессов получения и определения электрических и
оптических характеристик массивов наноостровков Ge в Si (искусственных «атомов») с дискретным
энергетическим спектром, который проявляется вплоть до комнатной температуры.
Проведен краткий анализ современного состояния представлений о механизмах начальной стадии
самоформирования и упорядочения ансамблей нанокластеров при гетероэпитаксии Ge на
Si. Основными факторами, определяющими спектр состояний, служат размерное квантование
и кулоновское взаимодействие носителей. Показано, что новым фактором, возникающим в массиве
квантовых точек (КТ) и отличающим его от ситуации одиночной КТ, являются кулоновские
корреляции между островками. Определены скорости испускания, сечения захвата дырок
в зависимости от глубины залегания энергетических уровней. Величины сечений на несколько
порядков превышают известные значения в Si. Электронный транспорт вдоль слоев КТ осуществляется
с помощью прыжковой проводимости, величина которой осциллирует при изменении
степени заполнения островков дырками, что может лечь в основу создания электронных цепей
передачи информации на КТ. Показана возможность создания перестраиваемого под ближний
и средний ИК диапазон фотодетектора с Ge квантовыми точками. |
|---|