Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками

• Дата: 2004
• Автори: Двуреченский, А.В., Никифоров, А.И., Пчеляков, О.П., Тийс, С.А., Якимов, А.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкоразмерные и неупорядоченные системы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120165
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками / А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1169–1179. — Бібліогр.: 37 назв. — рос.

Изложены результаты исследования процессов получения и определения электрических и оптических характеристик массивов наноостровков Ge в Si (искусственных «атомов») с дискретным энергетическим спектром, который проявляется вплоть до комнатной температуры. Проведен краткий анализ современного состояния представлений о механизмах начальной стадии самоформирования и упорядочения ансамблей нанокластеров при гетероэпитаксии Ge на Si. Основными факторами, определяющими спектр состояний, служат размерное квантование и кулоновское взаимодействие носителей. Показано, что новым фактором, возникающим в массиве квантовых точек (КТ) и отличающим его от ситуации одиночной КТ, являются кулоновские корреляции между островками. Определены скорости испускания, сечения захвата дырок в зависимости от глубины залегания энергетических уровней. Величины сечений на несколько порядков превышают известные значения в Si. Электронный транспорт вдоль слоев КТ осуществляется с помощью прыжковой проводимости, величина которой осциллирует при изменении степени заполнения островков дырками, что может лечь в основу создания электронных цепей передачи информации на КТ. Показана возможность создания перестраиваемого под ближний и средний ИК диапазон фотодетектора с Ge квантовыми точками.