Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками

Изложены результаты исследования процессов получения и определения электрических и оптических характеристик массивов наноостровков Ge в Si (искусственных «атомов») с дискретным энергетическим спектром, который проявляется вплоть до комнатной температуры. Проведен краткий анализ современного состо...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Двуреченский, А.В., Никифоров, А.И., Пчеляков, О.П., Тийс, С.А., Якимов, А.И.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Низкоразмерные и неупорядоченные системы
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120165
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками / А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1169–1179. — Бібліогр.: 37 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-120165
record_format	dspace
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Низкоразмерные и неупорядоченные системы Низкоразмерные и неупорядоченные системы
spellingShingle	Низкоразмерные и неупорядоченные системы Низкоразмерные и неупорядоченные системы Двуреченский, А.В. Никифоров, А.И. Пчеляков, О.П. Тийс, С.А. Якимов, А.И. Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками Физика низких температур
description	Изложены результаты исследования процессов получения и определения электрических и оптических характеристик массивов наноостровков Ge в Si (искусственных «атомов») с дискретным энергетическим спектром, который проявляется вплоть до комнатной температуры. Проведен краткий анализ современного состояния представлений о механизмах начальной стадии самоформирования и упорядочения ансамблей нанокластеров при гетероэпитаксии Ge на Si. Основными факторами, определяющими спектр состояний, служат размерное квантование и кулоновское взаимодействие носителей. Показано, что новым фактором, возникающим в массиве квантовых точек (КТ) и отличающим его от ситуации одиночной КТ, являются кулоновские корреляции между островками. Определены скорости испускания, сечения захвата дырок в зависимости от глубины залегания энергетических уровней. Величины сечений на несколько порядков превышают известные значения в Si. Электронный транспорт вдоль слоев КТ осуществляется с помощью прыжковой проводимости, величина которой осциллирует при изменении степени заполнения островков дырками, что может лечь в основу создания электронных цепей передачи информации на КТ. Показана возможность создания перестраиваемого под ближний и средний ИК диапазон фотодетектора с Ge квантовыми точками.
format	Article
author	Двуреченский, А.В. Никифоров, А.И. Пчеляков, О.П. Тийс, С.А. Якимов, А.И.
author_facet	Двуреченский, А.В. Никифоров, А.И. Пчеляков, О.П. Тийс, С.А. Якимов, А.И.
author_sort	Двуреченский, А.В.
title	Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
title_short	Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
title_full	Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
title_fullStr	Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
title_full_unstemmed	Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
title_sort	молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем ge/si с квантовыми точками
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2004
topic_facet	Низкоразмерные и неупорядоченные системы
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120165
citation_txt	Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками / А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1169–1179. — Бібліогр.: 37 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT dvurečenskijav molekulârnaâépitaksiâiélektronnyesvojstvageterosistemgesiskvantovymitočkami AT nikiforovai molekulârnaâépitaksiâiélektronnyesvojstvageterosistemgesiskvantovymitočkami AT pčelâkovop molekulârnaâépitaksiâiélektronnyesvojstvageterosistemgesiskvantovymitočkami AT tijssa molekulârnaâépitaksiâiélektronnyesvojstvageterosistemgesiskvantovymitočkami AT âkimovai molekulârnaâépitaksiâiélektronnyesvojstvageterosistemgesiskvantovymitočkami
first_indexed	2023-10-18T20:36:23Z
last_indexed	2023-10-18T20:36:23Z
_version_	1796150634578182144
spelling	irk-123456789-1201652017-06-12T03:02:46Z Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками Двуреченский, А.В. Никифоров, А.И. Пчеляков, О.П. Тийс, С.А. Якимов, А.И. Низкоразмерные и неупорядоченные системы Изложены результаты исследования процессов получения и определения электрических и оптических характеристик массивов наноостровков Ge в Si (искусственных «атомов») с дискретным энергетическим спектром, который проявляется вплоть до комнатной температуры. Проведен краткий анализ современного состояния представлений о механизмах начальной стадии самоформирования и упорядочения ансамблей нанокластеров при гетероэпитаксии Ge на Si. Основными факторами, определяющими спектр состояний, служат размерное квантование и кулоновское взаимодействие носителей. Показано, что новым фактором, возникающим в массиве квантовых точек (КТ) и отличающим его от ситуации одиночной КТ, являются кулоновские корреляции между островками. Определены скорости испускания, сечения захвата дырок в зависимости от глубины залегания энергетических уровней. Величины сечений на несколько порядков превышают известные значения в Si. Электронный транспорт вдоль слоев КТ осуществляется с помощью прыжковой проводимости, величина которой осциллирует при изменении степени заполнения островков дырками, что может лечь в основу создания электронных цепей передачи информации на КТ. Показана возможность создания перестраиваемого под ближний и средний ИК диапазон фотодетектора с Ge квантовыми точками. Викладено результати дослідження процесів одержання та визначення електричних і оптичних характеристик масивів наноострівців Ge у Si (штучних «атомів») з дискретним енергетичним спектром, що виявляється аж до кімнатної температури. Проведено короткий аналіз сучасного стану представлень про механізми початкової стадії самоформування й упорядкування ансамблів нанокластерів при гетероепітаксії Ge на Si. Основними факторами, що визначають спектр станів, служать розмірне квантування і кулонівська взаємодія носіїв. Показано, що новим фактором, що виникає в масиві квантових точок (КТ) і відрізняє його від ситуації одиночної КТ, є кулонівські кореляції між острівцями. Визначено швидкості випущення, перетину захоплення дірок у залежності від глибини залягання енергетичних рівнів. Величини перетин ів на кілька порядків перевищують відомі значення в Si. Електронний транспорт уздовж шарів КТ здійснюється за допомогою стрибкової провідності, величина якої осцилює при зміні ступеня заповнення острівців дірками, що може лягти в основу створення електронних ланцюг ів передачі інформації на КТ. Показано можливість створення фотодетектора з Ge квантовими точками, що перебудовується під ближній і середній ІЧ діапазон. The experimental data are reported for electrical and optical characteristics of Ge nanoislands in Si (artificial «atoms») which have a discrete energy spectrum down to room temperature. The modern ideas of the mechanisms of the initial stage of self-formation and ordering of nanoclasters ensembles under heteroepitaxy of Ge in Si are briefly considered. The main factors determining the energy spectrum are size quantization and Coulomb interaction of carriers. It is shown that a new factor which occurs in the array of quantum dobs (QD) and is different from that in the case of a single QD is Coulomb correlation between nanoislands. The emission rates and the hole capture cross-sections are determined as a function of energy level depth. The cross-section values are by several order of magnitude higher than those known for Si. The electron transport along the QD layers is realized via hopping conductivity whose value oscillates with changing the hole occupancy of islands. This may lie at the basis of productivity QD electronic circuits for data transmission. It is shown that the design of a photodetected with Ge quantum dots tunable to near and intermediate IR region is quite possible. 2004 Article Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками / А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1169–1179. — Бібліогр.: 37 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 61.14.–x, 61.30.Hn, 61.46.+w, 73.23.Hk, 73.63.Kv http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120165 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України

Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками

Репозиторії

Схожі ресурси