Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками
Изложены результаты исследования процессов получения и определения электрических и оптических характеристик массивов наноостровков Ge в Si (искусственных «атомов») с дискретным энергетическим спектром, который проявляется вплоть до комнатной температуры. Проведен краткий анализ современного состо...
Saved in:
Date: | 2004 |
---|---|
Main Authors: | Двуреченский, А.В., Никифоров, А.И., Пчеляков, О.П., Тийс, С.А., Якимов, А.И. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
Series: | Физика низких температур |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120165 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Молекулярная эпитаксия и электронные свойства гетеросистем Ge/Si с квантовыми точками / А.В. Двуреченский, А.И. Никифоров, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.И. Якимов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1169–1179. — Бібліогр.: 37 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Одномерные и квазиодномерные электронные системы в наноканалах
by: Зуева, Т.И., et al.
Published: (2006) -
Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
by: Комник, Ю.Ф., et al.
Published: (2006) -
Эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двумерном дырочном газе в германиевой квантовой яме в гетероструктуре SiGe/Ge/SiGe
by: Беркутов, И.Б., et al.
Published: (2006) -
Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
by: Berkutov, I.B., et al.
Published: (2008) -
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
by: Беркутов, И.Б., et al.
Published: (2000)