Accumulation dynamics of oxygen clusters in silicon and formation of their nonhomogeneous distribution
Kinetics of oxygen distribution variation and oxygen clusters (thermodonors) formation is considered and described by a system of nonlinear equations. Analytic solution is obtained for homogeneous nonstationary distribution of oxygen and its complexes. It is shown that due to the interaction of oxyg...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2000 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2000
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120230 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Accumulation dynamics of oxygen clusters in silicon and formation of their nonhomogeneous distribution / P.A. Selishchev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2000. — Т. 3, № 1. — С. 19-21. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |