Model of optical transitions in A₂B₆ wurtzite type quantum dots
Model of optical transitions in A₂B₆ wurtzite type quantum dots is proposed. It is based on the effective mass approximation and the quantum confinement effects, the valence band degeneracy in G point of the Brillouin zone and the effective mass anisotropy of the holes are also taken into account. A...
Збережено в:
Дата: | 1999 |
---|---|
Автор: | Kunets, V.P. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
1999
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120251 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Model of optical transitions in A₂B₆ wurtzite type quantum dots / V.P. Kunets // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 4. — С. 23-27. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Polar interface optical phonon states and their dispersive properties of a wurtzite GaN quantum dot: quantum size effect
за авторством: Zhang, L.
Опубліковано: (2010) -
Optical investigations of thermostimulated changes in an ensemble of CdSxSe₁₋x quantum dots embedded into borosilicate glass matrix
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2001) -
Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: V. I. Timofeyev, та інші
Опубліковано: (2010) -
Model of heterotransistor with quantum dots
за авторством: Timofeyev, V.I., та інші
Опубліковано: (2010) -
Mechanism of photoinduced luminescence degradation in CdSxSe₁₋x quantum dots
за авторством: Kunets, V.P., та інші
Опубліковано: (2003)