Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках
Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках. Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении энергией Ферми энергии резонансного уровня, конце...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120278 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1194–1202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-120278 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1202782017-06-12T03:05:14Z Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках Окулов, В.И. Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках. Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении энергией Ферми энергии резонансного уровня, концентрационный максимум подвижности, температурная и концентрационная зависимости магнитной восприимчивости локализованных резонансных состояний. Обсуждаются пределы применимости полученных результатов. Дано узагальнене формулювання підходу Фріделя і розвито теоретичний опис ефектів резонансного розсіювання електронів провідності на донорних домішках у напівпровідниках. Детально розглянуто стабілізацію електронної концентрації при досягненні енергією Фeрмі енергії резонансного рівня, концентраційний максимум рухливості, температурна та концентрац ійна залежності магнітної сприйнятливості локалізованих резонансних станів. Обговорюються межі застосовності отриманих результатів. On the basis of Friedel’s approach a theoretical description of the effects of resonance scattering of conduction electrons by donor impurities in semiconductors is developed with allowance made for the stabilization of electron concentration when the Fermi energy coincides with the resonance level energy. It is shown that such a stabilization gives rise to a maximum in the concentration dependence and to its related anomalies in the temperature dependences of electron mobility. It is also found that in the presence of resonance scattering of electrons by donor impurities in semiconductors the density of electrons localized at impurities makes a contribution to the spin susceptibility. The related Curie constant displays an unusual dependence on impurity concentration. An expression for spin susceptibility of electrons scattered by resonance is derived in the framework of Friedel’s approach. 2004 Article Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1194–1202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.10.Fk, 72.20.Dp http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120278 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами |
| spellingShingle |
Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами Окулов, В.И. Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках Физика низких температур |
| description |
Дана обобщенная формулировка подхода Фриделя и развито теоретическое описание эффектов
резонансного рассеяния электронов проводимости на донорных примесях в полупроводниках.
Детально рассмотрены стабилизация электронной концентрации при достижении
энергией Ферми энергии резонансного уровня, концентрационный максимум подвижности,
температурная и концентрационная зависимости магнитной восприимчивости локализованных
резонансных состояний. Обсуждаются пределы применимости полученных результатов. |
| format |
Article |
| author |
Окулов, В.И. |
| author_facet |
Окулов, В.И. |
| author_sort |
Окулов, В.И. |
| title |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| title_short |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| title_full |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| title_fullStr |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| title_full_unstemmed |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| title_sort |
эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2004 |
| topic_facet |
Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120278 |
| citation_txt |
Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1194–1202. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT okulovvi éffektyrezonansnogorasseâniâélektronovnadonornyhprimesâhvpoluprovodnikah |
| first_indexed |
2023-10-18T20:36:44Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:36:44Z |
| _version_ |
1796150653045702656 |