Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe

• Дата: 2004
• Автори: Несмелова, И.М., Рыжков, В.Н., Ибрагимова, М.И., Петухов, В.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120284
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe / И.М. Несмелова, В.Н. Рыжков, М.И. Ибрагимова, В.Ю. Петухов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1203–1208. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного твердого раствора Hg₁₋xMnxTe, альтернативного материалу Hg₁₋xCdxTe. Изучены процессы рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала. Получены значения эффективных масс электронов и дырок, энергии ионизации акцепторного уровня и g-фактора носителей заряда в зависимости от содержания теллурида марганца, концентрации электронов и дырок при температурах 300 и 77 К. Показана возможность применения методов радиоспектроскопии для диагностики полумагнитного материала. Методами барьеров Шоттки, диффузией в парах ртути и имплантацией ионов В⁺ в образцы р-Hg₁₋xMnxTe получены фотодиодные структуры, характеристики которых близки к значениям при работе в режиме фонового ограничения.