Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe

Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного твердого раствора Hg₁₋xMnxTe, альтернативного материалу Hg₁₋xCdxTe. Изучены процессы рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала. Получены значения эффективных масс...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2004
Автори:	Несмелова, И.М., Рыжков, В.Н., Ибрагимова, М.И., Петухов, В.Ю.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Назва видання:	Физика низких температур
Теми:	Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120284
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe / И.М. Несмелова, В.Н. Рыжков, М.И. Ибрагимова, В.Ю. Петухов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1203–1208. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-120284
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1202842017-06-12T03:04:41Z Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe Несмелова, И.М. Рыжков, В.Н. Ибрагимова, М.И. Петухов, В.Ю. Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного твердого раствора Hg₁₋xMnxTe, альтернативного материалу Hg₁₋xCdxTe. Изучены процессы рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала. Получены значения эффективных масс электронов и дырок, энергии ионизации акцепторного уровня и g-фактора носителей заряда в зависимости от содержания теллурида марганца, концентрации электронов и дырок при температурах 300 и 77 К. Показана возможность применения методов радиоспектроскопии для диагностики полумагнитного материала. Методами барьеров Шоттки, диффузией в парах ртути и имплантацией ионов В⁺ в образцы р-Hg₁₋xMnxTe получены фотодиодные структуры, характеристики которых близки к значениям при работе в режиме фонового ограничения. Проведено комплексне дослідження електрофізичних властивостей напівмагнітного потр ійного твердого розчину Hg₁₋xMnxTe, альтернативного матеріалу Hg₁₋xCdxTe. Вивчено процеси розсіювання носіїв заряду, оптичні, фотоелектричні та магнітні властивості матеріалу. Отримано значення ефективних мас електронів та дірок, енергії іонізації акцепторного рівня та g-фактора носіїв заряду в залежності від змісту телурида марганцю, концентрації електрон ів і дірок при температурах 300 та 77 К. Показано можливість застосування методів радіоспектроскопії для діагностики напівмагнітного матеріалу. Методами бар’єрів Шоттки, дифузією в парах ртуті й імплантацією іонів B⁺ у зразки p-Hg₁₋xMnxTe отримані фотодіодні структури, характеристики яких близькі до значень при роботі в режимі фонового обмеження. The electrophysical properties of semimagnetic triple solid solutions of Hg₁₋xMnxTe, an alternative material to Hg₁₋xCdxTe, have been investigated. The processes of charge carrier scattering as well as the optical, photoelectrical and magnetic properties of the material have been studied. The effective masses both of electrons and holes, the ionization energy of an accepter level, the g-factor of charge carriers are measured as a function of manganese telluride content, and electron and hole concentration at temperatures of 300 and 77 K. It is shown that the magnetic radiospectroscopy may be used to diagnose semimagnetic materials. The application of the Shottky barrier method, the diffusion in hydrogen vapor and B⁺-implantation into p-Hg₁₋xMnxTe the characteristics made it possible to produce photodiode structures which were close to those occurred, in the background restriction mode. 2004 Article Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe / И.М. Несмелова, В.Н. Рыжков, М.И. Ибрагимова, В.Ю. Петухов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1203–1208. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.10.–d, 72.40.+w, 75.50.–y http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120284 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами
spellingShingle	Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами Несмелова, И.М. Рыжков, В.Н. Ибрагимова, М.И. Петухов, В.Ю. Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe Физика низких температур
description	Проведено комплексное исследование электрофизических свойств полумагнитного тройного твердого раствора Hg₁₋xMnxTe, альтернативного материалу Hg₁₋xCdxTe. Изучены процессы рассеяния носителей заряда, оптические, фотоэлектрические и магнитные свойства материала. Получены значения эффективных масс электронов и дырок, энергии ионизации акцепторного уровня и g-фактора носителей заряда в зависимости от содержания теллурида марганца, концентрации электронов и дырок при температурах 300 и 77 К. Показана возможность применения методов радиоспектроскопии для диагностики полумагнитного материала. Методами барьеров Шоттки, диффузией в парах ртути и имплантацией ионов В⁺ в образцы р-Hg₁₋xMnxTe получены фотодиодные структуры, характеристики которых близки к значениям при работе в режиме фонового ограничения.
format	Article
author	Несмелова, И.М. Рыжков, В.Н. Ибрагимова, М.И. Петухов, В.Ю.
author_facet	Несмелова, И.М. Рыжков, В.Н. Ибрагимова, М.И. Петухов, В.Ю.
author_sort	Несмелова, И.М.
title	Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
title_short	Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
title_full	Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
title_fullStr	Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
title_full_unstemmed	Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
title_sort	электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов hg₁₋xmnxte
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate	2004
topic_facet	Примесные состояния в полупроводниках с переходными элементами
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120284
citation_txt	Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe / И.М. Несмелова, В.Н. Рыжков, М.И. Ибрагимова, В.Ю. Петухов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1203–1208. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series	Физика низких температур
work_keys_str_mv	AT nesmelovaim élektrofizičeskiesvojstvapolumagnitnyhtverdyhrastvorovhg1xmnxte AT ryžkovvn élektrofizičeskiesvojstvapolumagnitnyhtverdyhrastvorovhg1xmnxte AT ibragimovami élektrofizičeskiesvojstvapolumagnitnyhtverdyhrastvorovhg1xmnxte AT petuhovvû élektrofizičeskiesvojstvapolumagnitnyhtverdyhrastvorovhg1xmnxte
first_indexed	2023-10-18T20:36:45Z
last_indexed	2023-10-18T20:36:45Z
_version_	1796150653152657408

Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe

Репозитарії

Схожі ресурси