Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga)

• Дата: 2004
• Автори: Акимов, Б.А., Прядун, В.В., Рябова, Л.И., Слынько, Е.И., Хохлов, Д.Р., Штанов, В.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120325
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) / Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1209–1213. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb₁₋xGexTe(Ga) наблюдалось два типа особенностей. Это ярко выраженный пик при температуре Т = Тp, обусловленный диэлектрической аномалией при сегнетоэлектрическом фазовом переходе, а также характеризующееся сильной частотной зависимостью возрастание емкости в области температур Т < 100 К. Амплитуда низкотемпературного эффекта монотонно уменьшается с ростом частоты f, и при f > 10⁵ Гц эффект практически исчезает. Такое поведение емкости при столь низких частотах можно ассоциировать с процессами перезарядки в примесной подсистеме. Экспериментально определенное значение Тp оказалось существенно выше, чем характерные температуры появления долговременных релаксационных процессов, в частности задержанной фотопроводимости. Следовательно, изменение зарядовых состояний в примесной подсистеме не сопровождается диэлектрическими аномалиями кристаллической решетки в целом, и возможная перестройка решетки имеет локальный характер.