Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga)
Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb₁₋xGexTe(Ga) наблюдалось два типа особенностей. Это ярко выражен...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120325 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) / Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1209–1213. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-120325 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений |
| spellingShingle |
Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений Акимов, Б.А. Прядун, В.В. Рябова, Л.И. Слынько, Е.И. Хохлов, Д.Р. Штанов, В.И. Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) Физика низких температур |
| description |
Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован
в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных
зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb₁₋xGexTe(Ga) наблюдалось
два типа особенностей. Это ярко выраженный пик при температуре Т = Тp, обусловленный диэлектрической
аномалией при сегнетоэлектрическом фазовом переходе, а также характеризующееся
сильной частотной зависимостью возрастание емкости в области температур Т < 100 К.
Амплитуда низкотемпературного эффекта монотонно уменьшается с ростом частоты f, и при
f > 10⁵ Гц эффект практически исчезает. Такое поведение емкости при столь низких частотах
можно ассоциировать с процессами перезарядки в примесной подсистеме. Экспериментально
определенное значение Тp оказалось существенно выше, чем характерные температуры появления
долговременных релаксационных процессов, в частности задержанной фотопроводимости.
Следовательно, изменение зарядовых состояний в примесной подсистеме не сопровождается
диэлектрическими аномалиями кристаллической решетки в целом, и возможная перестройка
решетки имеет локальный характер. |
| format |
Article |
| author |
Акимов, Б.А. Прядун, В.В. Рябова, Л.И. Слынько, Е.И. Хохлов, Д.Р. Штанов, В.И. |
| author_facet |
Акимов, Б.А. Прядун, В.В. Рябова, Л.И. Слынько, Е.И. Хохлов, Д.Р. Штанов, В.И. |
| author_sort |
Акимов, Б.А. |
| title |
Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) |
| title_short |
Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) |
| title_full |
Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) |
| title_fullStr |
Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) |
| title_full_unstemmed |
Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) |
| title_sort |
неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах pbgete(ga) |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2004 |
| topic_facet |
Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120325 |
| citation_txt |
Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) / Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1209–1213. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT akimovba neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskijfazovyjperehodvkristallahpbgetega AT prâdunvv neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskijfazovyjperehodvkristallahpbgetega AT râbovali neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskijfazovyjperehodvkristallahpbgetega AT slynʹkoei neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskijfazovyjperehodvkristallahpbgetega AT hohlovdr neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskijfazovyjperehodvkristallahpbgetega AT štanovvi neravnovesnyeprocessyisegnetoélektričeskijfazovyjperehodvkristallahpbgetega |
| first_indexed |
2023-10-18T20:36:47Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:36:47Z |
| _version_ |
1796150655798214656 |
| spelling |
irk-123456789-1203252017-06-12T03:04:40Z Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) Акимов, Б.А. Прядун, В.В. Рябова, Л.И. Слынько, Е.И. Хохлов, Д.Р. Штанов, В.И. Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb₁₋xGexTe(Ga) наблюдалось два типа особенностей. Это ярко выраженный пик при температуре Т = Тp, обусловленный диэлектрической аномалией при сегнетоэлектрическом фазовом переходе, а также характеризующееся сильной частотной зависимостью возрастание емкости в области температур Т < 100 К. Амплитуда низкотемпературного эффекта монотонно уменьшается с ростом частоты f, и при f > 10⁵ Гц эффект практически исчезает. Такое поведение емкости при столь низких частотах можно ассоциировать с процессами перезарядки в примесной подсистеме. Экспериментально определенное значение Тp оказалось существенно выше, чем характерные температуры появления долговременных релаксационных процессов, в частности задержанной фотопроводимости. Следовательно, изменение зарядовых состояний в примесной подсистеме не сопровождается диэлектрическими аномалиями кристаллической решетки в целом, и возможная перестройка решетки имеет локальный характер. Імпеданс монокристалічних зразків PbTe(Ga) та Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤ x ≤ 0,095) досліджено у діапазоні частот від 10² до 10⁶ Гц в інтервалі температур 4,2–300 К. На температурних залежностях ємності на усіх досліджених зразках Pb₁₋xGexTe(Ga) спостерігалося два типи особливостей. Це яскраво виражений пік при температурі Т = Тp, обумовлений діелектричною аномалією при сегнетоелектричному фазовому переході, а також зростання ємності, якe характеризується сильною частотною залежністю в області температур Т < 100 К. Амплітуда низькотемпературного ефекту монотонно зменшується з ростом частоти f, і при f > 10⁵ Гц ефект практично зникає. Таку поведінку ємності при настільки низьких частотах можливо асоціювати з процесами перезарядження в домішковій підсистемі. Експериментально визначене значення Тp виявилося істотно вище, ніж характерні температури появи довгочасових релаксаційних процесів, зокрема затриманої фотопровідності. Отже, зміна зарядових станів у домішковій підсистемі не супроводжується діелектричними аномаліями кристалічних граток у цілому, і можлива перебудова гратки має локальний характер. The impedance of PbTe(Ga) and Pb₁₋xGexTe(Ga) single crystals (0 ≤ x ≤ 0.095) is studied in a 10² - 10⁶ Hz frequency at temperatures varied from 4.2 to 300 K. The temperature dependences of capacitance for the Pb₁₋xGexTe(Ga) samples display two peculiarities. These are a pronounced maximum at T = Tp responsible for by the dielectric anomaly at the ferroelectric phase transition and an increase in capacitance at T < 100 K which shows a strong frequency dependence. The low-temperature effect amplitude decreases monotoneously with increasing frequency, f, and at f > 10⁵ Hz the effect almost disappears. The contribution to the capacitance at such low frequences may be associated with the recharging in the impurity subsystem. The experimental value of Tp turned out to be much higher than the characteristic temperatures of the onset of long-term relaxation processes, in particular, the delayed photo-conductivity. Hence, the change of the charge states in the impurity subsystem is not followed by the dielectric anomalies of the whole crystal lattice, and the rearrangement of the lattice is local. 2004 Article Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) / Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1209–1213. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.55.Ht, 77.80.Bh http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120325 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |