Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga)
Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb₁₋xGexTe(Ga) наблюдалось два типа особенностей. Это ярко выражен...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120325 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) / Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1209–1213. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |