Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония

Проведено сравнительное исследование влияния высоких давлений (15–50 ГПа) на проводимость галогенидов аммония NH₄X (X = F, Cl, Br) при температурах 77 К и выше. Обнаружен фазовый переход, возникающий под действием высокого давления, который проявляется в резком (скачкообразном) изменении сопротив...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2004
Автори: Тихомирова, Г.В., Бабушкин, А.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120341
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония / Г.В. Тихомирова, А.Н. Бабушкин // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1219–1224. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-120341
record_format dspace
spelling irk-123456789-1203412017-06-12T03:05:14Z Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония Тихомирова, Г.В. Бабушкин, А.Н. Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений Проведено сравнительное исследование влияния высоких давлений (15–50 ГПа) на проводимость галогенидов аммония NH₄X (X = F, Cl, Br) при температурах 77 К и выше. Обнаружен фазовый переход, возникающий под действием высокого давления, который проявляется в резком (скачкообразном) изменении сопротивления на несколько (более трех) порядков и сопровождается гистерезисом, характерным для фазовых переходов I рода. Значения давления Pc1 коррелируют с плотностью материала и составляют приблизительно 40, 27 и 15 ГПа для NH₄F, NH₄Cl и NH₄Br соответственно. Времена релаксации сопротивления сильно зависят от давления: в области перехода время релаксации значительно увеличивается (от нескольких часов до суток). При давлениях, значительно выше Pc1, оно составляет несколько минут. Проведено порівняльне дослідження впливу високих тисків (15–50 ГПа) на провідність галоген ідів амонію NH₄X (X = F, Cl, Br) при температурах 77 K і вище. Виявлено фазовий перех ід, який виникає під дією високого тиску, що виявляється в різкій (стрибкоподібній) зміні опору на декілька (більш трьох) порядків і супроводжується гістерезисом, характерним для фазових переходів I роду. Значення тиску Pc1 корелюють із щільністю матеріалу і складають приблизно 40, 27 і 15 ГПа для NH₄F, NH₄Cl і NH₄Br відповідно. Часи релаксації опору сильно залежать від тиску: в області переходу час релаксації значно збільшується (від декількох годин до доби). При тисках, значно вище Pc1, воно складає кілька хвилин. Comparative studies of the effect of high pressures on the conductivity of ammonium halides NH₄X (X = F, Cl, Br) at temperatures above 77 K are presented. High-pressure phase transitions are observed which make themselves evident in a sharp change of the conductivity by several orders of magnitude at some critical pressures Pc and a hysteresis typical of the I kind phase transitions. The Pc1 values correlate with the material density being approximately 40, 27 and 15 GPa for NH₄F, NH₄Cl and NH₄Br, respectively. The relaxation times of the conductivity with varying pressure are estimated. It is found that the relaxation times at pressures close to the critical ones are much larger (hours to days) than at P > Pc1 (minutes). 2004 Article Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония / Г.В. Тихомирова, А.Н. Бабушкин // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1219–1224. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 81.40.Vw, 72.80.–r, 72.60.+g http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120341 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений
Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений
spellingShingle Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений
Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений
Тихомирова, Г.В.
Бабушкин, А.Н.
Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония
Физика низких температур
description Проведено сравнительное исследование влияния высоких давлений (15–50 ГПа) на проводимость галогенидов аммония NH₄X (X = F, Cl, Br) при температурах 77 К и выше. Обнаружен фазовый переход, возникающий под действием высокого давления, который проявляется в резком (скачкообразном) изменении сопротивления на несколько (более трех) порядков и сопровождается гистерезисом, характерным для фазовых переходов I рода. Значения давления Pc1 коррелируют с плотностью материала и составляют приблизительно 40, 27 и 15 ГПа для NH₄F, NH₄Cl и NH₄Br соответственно. Времена релаксации сопротивления сильно зависят от давления: в области перехода время релаксации значительно увеличивается (от нескольких часов до суток). При давлениях, значительно выше Pc1, оно составляет несколько минут.
format Article
author Тихомирова, Г.В.
Бабушкин, А.Н.
author_facet Тихомирова, Г.В.
Бабушкин, А.Н.
author_sort Тихомирова, Г.В.
title Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония
title_short Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония
title_full Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония
title_fullStr Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония
title_full_unstemmed Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония
title_sort динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2004
topic_facet Фазовые переходы и структура полупроводниковых соединений
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120341
citation_txt Динамика фазового перехода диэлектрик–проводник, инициированного высоким давлением в галогенидах аммония / Г.В. Тихомирова, А.Н. Бабушкин // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1219–1224. — Бібліогр.: 16 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT tihomirovagv dinamikafazovogoperehodadiélektrikprovodnikiniciirovannogovysokimdavleniemvgalogenidahammoniâ
AT babuškinan dinamikafazovogoperehodadiélektrikprovodnikiniciirovannogovysokimdavleniemvgalogenidahammoniâ
first_indexed 2023-10-18T20:36:49Z
last_indexed 2023-10-18T20:36:49Z
_version_ 1796150657181286400