Влияние света на фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик–ферромагнитный металл в тонких пленках Pr₀,₆La₀,₁Ca₀,₃MnO₃

• Дата: 2004
• Автори: Aleshkevych, P., Baran, M., Бедарев, В.А., Гапон, В.И., Горбенко, О.Ю., Гнатченко, С.Л., Кауль, А.Р., Szymczak, R., Szymczak, H.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2004
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120362
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Влияние света на фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик–ферромагнитный металл в тонких пленках Pr₀,₆La₀,₁Ca₀,₃MnO₃ / P. Aleshkevych, M. Baran, В.А. Бедарев, В.И. Гапон, О.Ю. Горбенко, С.Л. Гнатченко, А.Р. Кауль, R. Szymczak, H. Szymczak // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 12. — С. 1261–1271. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Исследовано влияние светового облучения на магнитные и транспортные свойства эпитаксиальных тонких пленок манганита Pr₀,₆La₀,₁Ca₀,₃MnO₃. Обнаружено, что облучение пленок светом He–Ne лазера приводит к увеличению их намагниченности и уменьшению электрического сопротивления, стимулируя фазовый переход антиферромагнитный диэлектрик—ферромагнитный металл, наблюдаемый в этом кристалле в магнитном поле при низких температурах. Показано, что поле фазового перехода заметно уменьшается после облучения пленок светом. Сделан вывод о том, что световое облучение вызывает образование и рост ферромагнитных металлических кластеров внутри антиферромагнитной диэлектрической фазы. Механизм воздействия света на магнитное и электрическое состояния манганита Pr₀,₆La₀,₁Ca₀,₃MnO₃ может быть связан с фотоиндуцированным переносом электронов с ионов Mn³⁺ на ионы Mn⁴⁺, что приводит к плавлению зарядового упорядочения, имеющего место в исследуемом манганите в антиферромагнитном диэлектрическом состоянии, и вызывает переход кристалла в ферромагнитную металлическую фазу.