Об устойчивости заряженной поверхности жидкого диэлектрика

• Дата: 2006
• Автори: Кушнир, Л., Шикин, В.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2006
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: К 100-летию со дня рождения Б.Г. Лазарева
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120500
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Об устойчивости заряженной поверхности жидкого диэлектрика / Л. Кушнир, В. Шикин // Физика низких температур. — 2006. — Т. 32, № 8-9. — С. 1155–1164. — Бібліогр.: 43 назв. — рос.

Предложена теория возникновения неустойчивости границы двух жидких диэлектриков при наличии внешнего электрического поля, нормального этой границе. Исследованы детали критических условий неустойчивости в функции от внешних параметров задачи: отношения ε = ε₁/ε₂ диэлектрических постоянных двух сред с ε₁ и ε₂, толщины жидких пленок, находящихся в контакте, и.т.д. В частности, отмечена качественная разница в структуре возникающей гофрировки жидкой границы при изменении ε. В случае конечных значений ε критический период гофрировки остается конечным. Если же ε→ 0 (что соответствует бесконечной проводимости одной из сред), период гофрировки также неограниченно возрастает. Продемонстрирована возможность реконструкции жидкой границы в закритических условиях (возникновение механически равновесной гофрировки жидкой границы, амплитуда которой зависит от степени надкритичности, т.е. превышения электрического поля над критическим). Указано на существование двух режимов реконструкции: мягкого и жесткого, реализуемых при определенных соотношениях между внешними параметрами задачи. Обсуждаются детали «мягкой» реконструкции, где используемый формализм имеет реальную область применимости. Отмечено, что манипуляции с параметром ε = ε₁/ε₂ в обсуждаемой проблеме качественно эквивалентны варьированию степени заселенности δ поверхности криогенной жидкости заряженными частицами (электронами или ионами) от ее нулевого значения (случай свободной от зарядов поверхности жидкости) до ее максимального значения δ-1, когда общая задача дает ответы, характерные для развития неустойчивости свободной границы металлической жидкости.