Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling

In the present paper metal-to-insulator transition with the increase of temperature is studied in a narrow-band model with non-equivalent Hubbard subbands at half-filling. It is shown that the results obtained in the considered model are essentially distinct from those obtained in the Hubbard model...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1999
Автори: Didukh, L., Hankevych, V.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
Назва видання:Condensed Matter Physics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120523
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling / L. Didukh, V. Hankevych // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 447-452. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси