Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling

• Видавець: Інститут фізики конденсованих систем НАН України
• Дата: 1999
• Автори: Didukh, L., Hankevych, V.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Інститут фізики конденсованих систем НАН України 1999
• Назва видання: Condensed Matter Physics
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120523
• Цитувати: Temperature-induced metal-insulator transition in a non-symmetric Hubbard model at half-filling / L. Didukh, V. Hankevych // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 447-452. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

In the present paper metal-to-insulator transition with the increase of temperature is studied in a narrow-band model with non-equivalent Hubbard subbands at half-filling. It is shown that the results obtained in the considered model are essentially distinct from those obtained in the Hubbard model...