Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels
Low-temperature luminescence spectra under broad-scale variation of an excitation level Iexc are studied for ZnS/ZnSe single quantum wells (QW) and for CdS bulk crystals and epilayers. In the first case, the manifestations turn out to be of the heterointerface inhomogeneity - i.e. fluctuations of Q...
Збережено в:
Дата: | 1999 |
---|---|
Автори: | Brodyn, M.S., Shevel, S.G., Tishchenko, V.V. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
1999
|
Назва видання: | Condensed Matter Physics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120545 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels / M.S. Brodyn, S.G. Shevel, V.V. Tishchenko // Condensed Matter Physics. — 1999. — Т. 2, № 3(19). — С. 531-542. — Бібліогр.: 26 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Polarizability of D+X complex in bulk semiconductors
за авторством: Katih, M., та інші
Опубліковано: (2006) -
Investigation of electron-phonon interaction in bulk and nanostructured semiconductors
за авторством: Yaremko, A.M., та інші
Опубліковано: (2007) -
Photoluminescence of ZnSe nanocrystals at high excitation level
за авторством: Tishchenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2009) -
Prosperity and difficulty of bulk crystal growth of semiconductor compound (a review)
за авторством: Rudolph, P.
Опубліковано: (2007) -
Experimental study of the specific electrical resistance of the thermoanthracite bulk layer
за авторством: V. A. Bezuglyj, та інші
Опубліковано: (2019)