Scintillation, phonon and defect channel balance, the sources for fundamental yield increase

The estimation of the fundamental limits of scintillation efficiency requires the analysis not only of electron channel of the energy transformation but also of the role of interplay between electron and phonon channels. The well-known factor beta which estimates the efficiency of electron-hole pair...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2016
Автори: Gektin, A., Vasil'ev, A.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: НТК «Інститут монокристалів» НАН України 2016
Назва видання:Functional Materials
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120605
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Scintillation, phonon and defect channel balance, the sources for fundamental yield increase / A. Gektin, A. Vasil'ev // Functional Materials. — 2016. — Т. 23, № 2. — С. 183-190. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine