The nature of red emission in porous silicon
The photoluminescence spectra of porous silicon at 77 and 300 K and their transformation during aging were investigated. The competition of two radiative recombination channels that have a common excitation mechanism was observed. It is shown that only one of them, which causes infrared emission ban...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120640 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | The nature of red emission in porous silicon / L.Yu. Khomenkova, N.E. Korsunska, B.M. Bulakh, M.K. Sheinkman, T.R. Stara // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2005. — Т. 8, № 1. — С. 60-63. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!