The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors
Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system (Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2003 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2003
|
| Назва видання: | Condensed Matter Physics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120701 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-120701 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1207012017-06-13T03:06:05Z The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system (Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of manganese content of PTCR materials have been investigated. Метою даної роботи було вивчення впливу йонів мангану на властивості областей ПТКО кераміки на основі (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃, що відрізняються за електричними властивостями. Було знайдено, що ріст вмісту мангану в кераміці на основі титанату барію збільшує опір границь і зовнішніх шарів зерен, але практично не змiнює опору зерен; при цьому потенціальний бар’єр на границях зерен зростає. Проведені дослідження ПТКО кераміки на основі титанату барію в широкому частотному і температурному інтервалах дозволяють стверджувати, що йони мангану знаходяться переважно на границях зерен і слабо впливають на опір зерен. Такий розподіл домішки мангану суттєво покращує властивості ПТКО матеріалів. 2003 Article The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 1607-324X PACS: 61.66.Fn, 77.80.Bh, 78.40.Fy DOI:10.5488/CMP.6.2.213 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120701 en Condensed Matter Physics Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
English |
| description |
Electrophysical properties and microstructure of PTCR ceramics of the system
(Ba,Ca,Sr,Y)TiO3 + y%Mn have been investigated. It has been shown
that manganese ions increase the potential barrier at grain boundaries and
form a high-resistance outer layer in (Ba,Ca,Sr,Y)TiO₃ ceramics. The resistance
of grains, outer layers and grain boundaries, the values of temperature
coefficient of resistance as well as the varistor effect as a function of
manganese content of PTCR materials have been investigated. |
| format |
Article |
| author |
V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. |
| spellingShingle |
V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors Condensed Matter Physics |
| author_facet |
V'yunov, O.I. Kovalenko, L.L. Belous, A.G. |
| author_sort |
V'yunov, O.I. |
| title |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_short |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_full |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_fullStr |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_full_unstemmed |
The effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| title_sort |
effect of isovalent substitutions and dopants of 3d-metals on the properties of ferroelectricssemiconductors |
| publisher |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України |
| publishDate |
2003 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120701 |
| citation_txt |
The effect of isovalent substitutions
and dopants of 3d-metals on the
properties of ferroelectricssemiconductors / O.I. V'yunov, L.L. Kovalenko, A.G. Belous // Condensed Matter Physics. — 2003. — Т. 6, № 2(34). — С. 213-220. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |
| series |
Condensed Matter Physics |
| work_keys_str_mv |
AT vyunovoi theeffectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT kovalenkoll theeffectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT belousag theeffectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT vyunovoi effectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT kovalenkoll effectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors AT belousag effectofisovalentsubstitutionsanddopantsof3dmetalsonthepropertiesofferroelectricssemiconductors |
| first_indexed |
2023-10-18T20:37:54Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:37:54Z |
| _version_ |
1796150700629032960 |