Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
In this paper, the study of the recombination of non-equilibrium charge carriers and determination of recombination mechanisms in Ge/Si heterostructures with nanoislands have been presented. The effects of long-term photoconductivity decay in Ge/Si heterostructures with Ge nanoislands have been foun...
Збережено в:
Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
---|---|
Дата: | 2015 |
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2015
|
Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120734 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100) / S.V. Kondratenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2015. — Т. 18, № 1. — С. 97-100. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |