Electrophysical properties of PMN-PT-PS-PFN:Li ceramics
We present the technology of obtaining and the electrophysical properties of a multicomponent material 0.61PMN-0.20PT-0.09PS-0.1PFN:Li (PMN-PT-PS-PFN:Li). The addition of PFN into PMN-PT decreases the temperature of final sintering which is very important during technological process (addition of Li...
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | Skulski, R., Bochenek, D., Niemiec, P., Wawrzała, P., Suchanicz, J. |
Формат: | Стаття |
Мова: | English |
Опубліковано: |
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
2013
|
Назва видання: | Condensed Matter Physics |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120840 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Electrophysical properties of PMN-PT-PS-PFN:Li ceramics / R. Skulski, D. Bochenek, P. Niemiec, P. Wawrzała, J. Suchanicz // Condensed Matter Physics. — 2013. — Т. 16, № 3. — С. 31703:1-6. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Дослідження полярних нанокластерів у твердих розчинах (PMN)1−x−(PT)x методом ЯМР
за авторством: Глинчук, М.Д., та інші
Опубліковано: (2008) -
The effect of a.c. and d.c. electric field on the dielectric properties of Na₀.₅Bi₀.₅TiO₃ ceramic
за авторством: Suchanicz, J.
Опубліковано: (1999) -
Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties
за авторством: V. I. Bilozertseva, та інші
Опубліковано: (2010) -
Li-Bi-Se semiconductor thin films: technology, structure and electrophysical properties
за авторством: Bilozertseva, V.I., та інші
Опубліковано: (2010) -
Electrophysical characteristics of large-size aSi-Si(Li) detector heterostructures
за авторством: R. A. Muminov, та інші
Опубліковано: (2012)