Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ

• Дата: 2007
• Автори: Пащенко, В.П., Шемяков, А.А., Пащенко, А.В., Прокопенко, В.К., Ревенко, Ю.Ф., Турченко, В.А., Варюхин, В.Н., Дьяконов, В.П., Шимчак, Г.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкотемпеpатуpный магнетизм
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120916
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Дефектность структуры и магниторезистивные свойства керамики La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2-xFexO3±δ / В.П. Пащенко, А.А. Шемяков, А.В. Пащенко, В.К. Прокопенко, Ю.Ф. Ревенко, В.А. Турченко, В.Н. Варюхин, В.П. Дьяконов, Г. Шимчак // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 870–880. — Бібліогр.: 36 назв. — рос.

Рентгеноструктурным, резистивным, магнитным, ЯМР ⁵⁵Mn методами исследованы керамические магниторезистивные манганит-лантановые перовскиты La₀,₆Sr₀,₂Mn1,2–xFexO3 (x = 0; 0,02; 0,05; 0,1), отожженные при 1170 и 1500 °С. Установлено, что повышение содержания Fe приводит к уменьшению температуры фазовых переходов металл–полупроводник Tms и Кюри Тc, к увеличению пика магниторезистивного эффекта вблизи этих фазовых переходов и его росту при низких температурах, при которых магниторезистивный эффект обусловлен туннельными переходами носителей между кристаллитами. Широкий асимметричный спектр ЯМР ⁵⁵Mn, резонансная частота которого с увеличением x смещается в область меньших частот, подтверждает высокочастотный электронно-дырочный обмен между ионами Mn³⁺ и Mn⁴⁺ и высокую дефектность решетки, содержащей не только вакансии, но и кластеры. Гистерезис на полевых зависимостях намагниченности при 4,2 К обусловлен изменением доли низкоспинового Mn²⁺ в кластерах, магнетизм которых проявляется ниже 42 К. Увеличение энергии активации при повышении содержания Fe объяснено влиянием этих ионов на дефектность структуры, концентрацию носителей заряда и электронно-дырочный обмен между разновалентными ионами марганца в В-позициях.