К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий
Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной восприимчивости сплавов железо–ванадий–алюминий и установлено, что сплав Fe₁,₉V₁,₁Al обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных сплавов. Показано, что в интерв...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120925 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий / В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, Х.В. Вебер // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 907–915. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-120925 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1209252017-06-14T03:06:36Z К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной восприимчивости сплавов железо–ванадий–алюминий и установлено, что сплав Fe₁,₉V₁,₁Al обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных сплавов. Показано, что в интервале температур ниже 30 К полупроводниковый сплав обладает характерным низкотемпературным масштабом наблюдавшихся зависимостей, который может отвечать проявлению узкой псевдощели в электронной плотности состояний. Предложено простое теоретическое описание эффектов псевдощели. В результете согласованной подгонки теоретических зависимостей к экспериментальным определена эффективная ширина псевдощели (~ 1 мэВ) и ее относительная глубина (~ 10²). Досліджено температурні залежності електроопору коефіцієнта Холу та магнітної сприйнятливост і сплавів залізо–ванадій–алюміній і встановлено, що сплав Fe₁,₉V₁,₁Al має напівпровідникові залежності при використаному способі отримання однорідних сплавів. Показано, що в інтервалі температур нижче 30 К напівпровідниковий сплав має характерний низькотемпературний масштаб залежностей, які спостерігалися, що може відповідати прояву вузької псевдощілини в електронній щільності станів. Запропоновано простий теоретичний опис ефектів псевдощілини. Внаслідок погодженого припасування теоретичних залежностей до експериментальних визначено ефективну ширину псевдощілини (~ 1 меВ) та її відносну глибину (~ 10²). We have analyzed the temperature dependences of electrical resistivity, magnetic susceptibility and Hall concentration in the Fe₁,₉V₁,₁Al alloy having the semiconductor-like properties. It has been established that the semiconductor alloy exhibits a low-temperature scale of changing the quantities measured which can be attributed the pseudogap on the density of states. On the basis of the simple theoretical description taking into account the influence of a pseudogap on the density of states, we fitted the experimental temperature dependences using the predicted theoretical curves in the low-temperature range. As a result, the consistent value of the effective width of the pseudogap (~ 1 meV) and its relative depth (~ 10²) have been found. 2007 Article К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий / В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, Х.В. Вебер // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 907–915. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Be, 72.15.Eb, 75.20.En http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120925 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| spellingShingle |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В. К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий Физика низких температур |
| description |
Исследованы температурные зависимости электросопротивления, коэффициента Холла и магнитной
восприимчивости сплавов железо–ванадий–алюминий и установлено, что сплав Fe₁,₉V₁,₁Al
обладает полупроводниковыми зависимостями при использованном способе получения однородных
сплавов. Показано, что в интервале температур ниже 30 К полупроводниковый сплав обладает характерным
низкотемпературным масштабом наблюдавшихся зависимостей, который может отвечать проявлению
узкой псевдощели в электронной плотности состояний. Предложено простое теоретическое
описание эффектов псевдощели. В результете согласованной подгонки теоретических зависимостей к
экспериментальным определена эффективная ширина псевдощели (~ 1 мэВ) и ее относительная глубина
(~ 10²). |
| format |
Article |
| author |
Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В. |
| author_facet |
Окулов, В.И. Архипов, В.Е. Говоркова, Т.Е. Королев, А.В. Марченков, В.В. Окулова, К.А. Шредер, Е.И. Вебер, Х.В. |
| author_sort |
Окулов, В.И. |
| title |
К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| title_short |
К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| title_full |
К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| title_fullStr |
К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| title_full_unstemmed |
К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| title_sort |
к экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2007 |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120925 |
| citation_txt |
К экспериментальному обоснованию аномалий электронной плотности состояний в полупроводниковых сплавах железо–ванадий–алюминий / В.И. Окулов, В.Е. Архипов, Т.Е. Говоркова, А.В. Королев, В.В. Марченков, К.А. Окулова, Е.И. Шредер, Х.В. Вебер // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 08. — С. 907–915. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT okulovvi kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomalijélektronnojplotnostisostoânijvpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadijalûminij AT arhipovve kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomalijélektronnojplotnostisostoânijvpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadijalûminij AT govorkovate kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomalijélektronnojplotnostisostoânijvpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadijalûminij AT korolevav kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomalijélektronnojplotnostisostoânijvpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadijalûminij AT marčenkovvv kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomalijélektronnojplotnostisostoânijvpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadijalûminij AT okulovaka kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomalijélektronnojplotnostisostoânijvpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadijalûminij AT šrederei kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomalijélektronnojplotnostisostoânijvpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadijalûminij AT veberhv kéksperimentalʹnomuobosnovaniûanomalijélektronnojplotnostisostoânijvpoluprovodnikovyhsplavahželezovanadijalûminij |
| first_indexed |
2023-10-18T20:38:25Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:38:25Z |
| _version_ |
1796150727369818112 |