Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям
Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а радиус локализации носителей увеличивается....
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120945 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-120945 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1209452017-06-14T03:02:24Z Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а радиус локализации носителей увеличивается. Експериментально показано, що при зміщенні акцепторної домішки в квантових ямах гетероструктур Si/Si1-xGex від центру до їхнього краю енергія зв язку основного стану домішки зменшу ється, а радіус локалізації носіїв збільшується. It is shown experimentally that with shifting an acceptor impurity in quantum wells of the Si/Si1–xGex heterostructures from the on-center to on-edge position its ground state binding energy decreases and localization radius of charge carriers increases. 2007 Article Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.55.–i, 78.67.De http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120945 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| spellingShingle |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям Физика низких температур |
| description |
Экспериментально показано, что при смещении акцепторной примеси в квантовых ямах гетероструктур
Si/Si1-xGex от центра к их краю энергия связи основного состояния примеси уменьшается, а
радиус локализации носителей увеличивается. |
| format |
Article |
| author |
Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. |
| author_facet |
Вайнберг, В.В. Гуденко, Ю.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, В.Н. Cheng, H.H. Yang, Z.P. Mashanov, V. Wang, K.Y. |
| author_sort |
Вайнберг, В.В. |
| title |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_short |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_full |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_fullStr |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_full_unstemmed |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| title_sort |
энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах si/si1-xgex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2007 |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120945 |
| citation_txt |
Энергетические характеристики примеси бора в гетероструктурах Si/Si1-xGex при селективном легировании в центре и на краю квантовых ям / В.В. Вайнберг, Ю.Н. Гуденко, В.Н. Порошин, В.Н. Tулупенко, H.H. Cheng, Z.P. Yang, V. Mashanov, K.Y. Wang // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1143–1146. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT vajnbergvv énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT gudenkoûn énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT porošinvn énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT tulupenkovn énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT chenghh énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT yangzp énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT mashanovv énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm AT wangky énergetičeskieharakteristikiprimesiboravgeterostrukturahsisi1xgexpriselektivnomlegirovaniivcentreinakraûkvantovyhâm |
| first_indexed |
2023-10-18T20:38:28Z |
| last_indexed |
2023-10-18T20:38:28Z |
| _version_ |
1796150734888108032 |