Смена знака магнитосопротивления в сверхпроводящих пленках: роль краевого барьера

• Дата: 2007
• Автори: Заскалько, В.В., Максимов, И.Л., Водолазов, Д.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120952
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Смена знака магнитосопротивления в сверхпроводящих пленках: роль краевого барьера / В.В. Заскалько, И.Л. Максимов, Д.Ю. Водолазов // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1080–1086. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Исследованы резистивные характеристики бездефектных сверхпроводников второго рода с краевым барьером. Анализ проведен на основе модельной системы, представляющей собой бесконечно длинную полоску конечной ширины W и толщины d << W. Численное решение уравнений Максвелла Лондона, рассматриваемых в рамках гидродинамического описания, позволяет рассчитать вольтамперные характеристики и магнитосопротивление образца (МС) R(H). Обнаружено, что положительное МС (dR/dH >0), имеющее место в области низких значений транспортного тока I < I* (I* ток перехода), изменяет знак: dR/dH < 0 при I > I* . Эффект смены знака МС объясняется изменением доминирующего механизма диссипации энергии в пленке (т.е. переходом от вязких потерь к аннигиляционным). Показано, что наличие слабого пиннинга магнитного потока не приводит к изменению поведения R(H).