О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник
При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на сверхпроводящем потенциале,...
Збережено в:
Дата: | 2007 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120953 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник / Г.Г. Сергеева // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1087–1090. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл
недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых
Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на
сверхпроводящем потенциале, развитому Андреевым, де Женном и Сент-Джеймсом для контакта металл
низкотемпературный сверхпроводник, предложен страйповый механизм отражений, приводящий
к полному циклу с двумя отражениями электрона и дырки от внешней границы нормального металла.
Показано, что к таким отражениям приводят ионы меди в страйпах CuO₂ - плоскости в точечном
контакте: ионы меди в D-страйпах поглощают и испускают в металл только электроны, а в U-страйпах
только дырки. При T < Tc на расстоянии от границы металл НД ВТСП, равном длине когерентности,
в D- и U-страйпах N/S контакта должны наблюдаться локальные флуктуации антиферромагнитного
(АФМ) упорядочения ионов меди: при поглощении электрона локальный АФМ порядок в страйпах
N/S контакта восстанавливается, при поглощении дырки нарушается. Уход электронов и дырок из
страйпов CuO₂ -плоскости НД ВТСП в нормальный металл свидетельствует о несовместимости этих
носителей заряда с локальным АФМ упорядочением двухвалентных ионов меди в CuO₂ - плоскости. |
---|