О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник

При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на сверхпроводящем потенциале,...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2007
Автор: Сергеева, Г.Г.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2007
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120953
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник / Г.Г. Сергеева // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1087–1090. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на сверхпроводящем потенциале, развитому Андреевым, де Женном и Сент-Джеймсом для контакта металл низкотемпературный сверхпроводник, предложен страйповый механизм отражений, приводящий к полному циклу с двумя отражениями электрона и дырки от внешней границы нормального металла. Показано, что к таким отражениям приводят ионы меди в страйпах CuO₂ - плоскости в точечном контакте: ионы меди в D-страйпах поглощают и испускают в металл только электроны, а в U-страйпах только дырки. При T < Tc на расстоянии от границы металл НД ВТСП, равном длине когерентности, в D- и U-страйпах N/S контакта должны наблюдаться локальные флуктуации антиферромагнитного (АФМ) упорядочения ионов меди: при поглощении электрона локальный АФМ порядок в страйпах N/S контакта восстанавливается, при поглощении дырки нарушается. Уход электронов и дырок из страйпов CuO₂ -плоскости НД ВТСП в нормальный металл свидетельствует о несовместимости этих носителей заряда с локальным АФМ упорядочением двухвалентных ионов меди в CuO₂ - плоскости.